B.Sc./M.Sc. Elektrotechnik an der RWTH

Wieso ein Mofettransistor bei Sperrbereich und ander bei Ohmscherbereich I_d gleich null?
Gibt es kein Strom I_d von einen bei Ohmscherberich?

Dank fuer Antowt!

Es kann nur ein Strom fliessen, wenn BEIDE nicht im Sperrbereich sind.

Sobald ein Transistor sperrt, ist I_d gleich null, weil es nur einen Strom gibt.
Oder anders gesagt: der Strom vom oberen und unteren Transistor ist der gleiche.

Wenn es noch einen Ausgangsstrom i_a, kann i_d noch ungleich null , ein Transistor beim Sperrbreich?

Frage bei 18,3!

Wieso Ue bei NMosfet gleich -Ugs?
ich habe das nicht verstehen.

bei mir in den lösungen ist Ugs,n positiv! also Ue = Ugs,n

Ich hab noch was Probleme mit der theorie dahinter:

0.
Mir kann nicht zufällig jmd die Schritte beim Hochregeln der Eingangspannung erklären, wie der Spannungs- und Stromverlauf zustande kommt etc?
Dass der P-Mos wegen negativer Schwellspannung ein Anreicherungstyp ist und somit nur für Ugs,p < Uth leitet , ist mir dann irgenwann klar geworden!


1.
Versteh aber noch nicht ganz den Sachverhalt, wie die kennlinie des Drainstroms zustande kommt!
Die Mosfets haben ja durch ihre Betriebsbereiche verschiedene, zulässige Maximalströme....
Welcher (Nmos,Pmos) ist gerade der Dominierende?
Welcher gibt vor wie die Kennline auszusehen hat?


2.
Blöde Frage wahrscheinlich und womöglich im ESB ersichtlich, aber wie berechnet man Uds im Fall Ids ungleich NUll und somit Ua im "mittleren" Bereich des Diagramms?


3.
wieso ist für ?

es fließt zwar kein Strom mehr, da der Pmos im SB, aber Ub muss doch nach der Maschenregel trotzdem irgendwo abfallen ?

wieso sollte Ua für stromlose MOsfets = 0 sein wenn doch gilt

4.
wieso kann man bei 18.6 davon ausgehen, dass hinter den parallelen Gate-bulk bzw Gate-Source Kapazitäten des Pmos und Nmos gleiches Potenzial herrscht und das Esb somit vereinfachen bzw umklappen??

Blöde Fragen die noch keiner gestellt hat, deswegen hoffe ich auf schnelle Entwirrung

danke für die Hilfe

Ich nutze einfach mal den Thread hier weiter, da es die selbe Aufgabe ist...

Warum wird in Aufgabe 18.3 gesagt, dass ist, aber in 18.4 dann ist. Was habe ich hier nicht verstanden??

Zu Audio:
Bei 18.3 ist beim N-Kanal-MOSFET U_e=U_GS.

Zu Herr Vorragend:
0. Alle MOSFETs sind ganz normale Anreicherungstypen. Ein n-Kanäler leitet bei positiver Schwellenspannung > Uth, und ein p-Kanäler bei negativer Schwellenspannung, deren Betrag größer Uth ist. Die Verläufe wurden in 18.2 beschrieben. Der n-Kanäler durchläuft die Bereich SB-AB-OB, und der p-Kanäler OB-AB-SB. Bei weiteren Fragen kommen Sie bitte in die Sprechstunde.

1. Der Querstrom genügt den Stromgleichungen für beide Transistoren. Als Variable stellt sich U_a dementsprechend ein.

2. Indem man die Stromgleichungen beider Transistoren gleichsetzt.

3. Wenn der p-Kanäler sperrt, zieht der n-Kanäler die Ausgangsspannung auf GND. Ohne Strom keinen Spannungsabfall! (Ohmsches Gesetz)

4. Im KSESB können kleinsignalmäßig kurzgeschlossene Potentiale verbunden werden.

Zu [MD]:
Es gilt U_GS,p = U_e - U_B. (korrigiert!)
In 18.4 wird ja genau der Punkt gesucht, an dem Ue = U_B / 2 ist.

Aber wenn ich doch nun für einsetze, dann folgt doch aus , dass ist und nicht

Sorry Vorzeichenfehler. Es gilt natürlich U_GS,p = U_e - U_B.

Ah, alles klar, dann weiß ich Bescheid. Hatte mich schon gewundert.

Dankeschön.