B.Sc./M.Sc. Elektrotechnik an der RWTH

Hallo Leute,

ich würde gerne wissen, was so in der Klausur dieses semester so dran kam. Ich würde mich über eurer Feedback sehr freuen.

MFG,

Ja dann fange ich mal an und schreibe das auf woran ich mich noch erinnern kann...

Aufgabe 1: Der erste Teil war auf jeden fall KESB zeichen und MNA dazu aufstellen. Dabei handelte es sich um eine pmos Drainschaltung am Eingang dessen Drain Anschluss mit dem Source Anschluss eines nmos und einer idealen Stromquelle verbunden war. Der nmos war also auch in Drainschaltung.Und an dessen Drain war noch ein Widerstand mein ich.

Eine weitere Aufgabe bestand darin in einer unbekannten Schaltung anzugeben wie die Transistoren verschaltet waren. Zum Beispiel Transistor T1 in Sourceschaltung ,Transistor T3 mit T4 Stromspiegel und sowas ... wie das genau aussah weis ich aber auch nicht mehr

Ansonsten weiß ich nicht mehr viel von Aufgabe 1 nur noch ein Unterpunkt mit 4 Bipolartransistoren die als Stromspiegel verschaltet waren. Dabei sollte man den relativen Fehler ausrechnen und in b kurz erläutern wie man den Stromspiegel verbessern könnte also den Fehler verringern kann. Es kam aber keine Aufgabe vor in der man irgendetwas zuordnen musste wie es zumindest in meinen letzten Klausur in ST1 der Fall war.

Aufgabe 2: In der Aufgabe hatte man meine ich eine nmos Sourceschaltung mit zusätzlicher idealer Spannungsquelle am Drain. Dabei hatte man keine Werte angegeben und sollte nur allgemein die Ausgangsspannung in Abhängigkeit der Eingangsspannung in teil a aufschreiben. Später sollte man dies dann in einem Diagramm aufzeichnen und einen Arbeitspunkt bestimmen und damit noch irgendwas berechnen. Am ende musste man dann meine ich auch noch das KESB zeichnen und erklären was passiert wenn eine niederohmige Last an den Ausgang geschaltet wird also wie sich das auf die Ausgangsspannung auswirkt. Im letzten Unterpunkt sollte man dann erklären wie man die Auswirkungen auf den Ausgang minimieren könnte trotz niederohmiger Last.

Aufgabe 3: In der Aufgabe hatte man meine ich auch eine pmos Drainschaltung mit mehreren Werten angegeben. Dabei sollte man zuerst den Transistor dimensionieren und alle unbekannten Daten ausrechnen. Dabei hatte man zum beispiel auch einen Spannungsteiler am Gate den man dimensionieren musste.

Danke für den Feedback, also wenn ich das richtig verstanden habe handelt es sich bei Aufgabe 2 fast um die gleiche Aufgabe 2 von der Klausur im SoSe. War es diesmal ne nmos Sourceschaltung mit Widerstand als Last und Parallel dazu ne Spannungsquelle?

Ne diesmal waren Widerstand und Spannungsquelle in Reihe