Hallo Leute,
sitzen grade an der ZA5. Warum wird dann einfach bei der Bestimmung der Stromquelle M6 die effektive Gate-Source-Spannung auf -400mV gesetzt? wo isn da bitte der Ansatz dafür?
Zusatzaufgabe 5
Moderator: Moderatoren
Re: Zusatzaufgabe 5
Ich glaube, dass das recht willkührlich ist. Der FET soll halt in Sättigung bleiben, deshalb werden diese 400mV "zur Sicherheit" auf die Schwellspannung draufgerechnet und in diesem Punkt die FETs betrieben, mehr kann ich dazu leider auch nicht sagen.
Eine andere Frage zu der Aufgabe: Ich habe im 2. Aufgabenteil U_amax = 4,2V raus, da bei mir das U_DS2,sat subtrahiert und nicht addiert wird. Gibt es da irgendwas, das ich wegen PMOS beachten muss oder ist das nur Knoten im Hirn?
Eine andere Frage zu der Aufgabe: Ich habe im 2. Aufgabenteil U_amax = 4,2V raus, da bei mir das U_DS2,sat subtrahiert und nicht addiert wird. Gibt es da irgendwas, das ich wegen PMOS beachten muss oder ist das nur Knoten im Hirn?
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HorstSchlaemmer
- Beiträge: 14
- Registriert: Mo 8. Feb 2010, 12:45
Re: Zusatzaufgabe 5
Bei Zusatzaufgabe 1 wird die effektive Gate-Source-Spannung der Stromquelle auch auf -400 mV gesetzt. Ich sehe da auch keine wirkliche Herleitung für den Wert. Hauptsache man hat einen gewissen Puffer, also -100mV wird denen wohl zu klein sein 
Re: Zusatzaufgabe 5
ich werde hier so langsam zum verrückten Fragengnom:D
Frage: Warum wählen wir beispielsweise bei einer 0,5 µm Technologie als minimale Länge L=2µm statt einfach 1µm oder einfach mal 0,5µm? Damit wir glattere Werte haben oder warum? ich mein letztlich ist es ja wurrscht weils auf das Verhältnis ankommt, aber trotzdem isses doch komisch dass wir die Technologie dann größer planen als sie minimal sein soll, da mehr Fälche= mehr Kosten.
Frage: Warum wählen wir beispielsweise bei einer 0,5 µm Technologie als minimale Länge L=2µm statt einfach 1µm oder einfach mal 0,5µm? Damit wir glattere Werte haben oder warum? ich mein letztlich ist es ja wurrscht weils auf das Verhältnis ankommt, aber trotzdem isses doch komisch dass wir die Technologie dann größer planen als sie minimal sein soll, da mehr Fälche= mehr Kosten.
Re: Zusatzaufgabe 5
Ohne die Aufgabe auch nur gesehen zu haben...
mehr Fläche = mehr Kosten ist zwar richtig. Aber da muss man immer abwägen
zum einen spielt noch so was lustiges wie "Matching" ( lernt man dann in ST2 ) mit rein. Grob vereinfacht zusammengefasst:
kleinere Fläche = kleine Fehler (in der Dotierung z.B.) versauen dir alles, große Fläche = kleine Fehler gleichen sich aus
zum anderen spielt die Gatelänge in andere Dinge mit rein.
1. Je kürzer das Gate desto höher das (1/f-)Rauschen (platt gesagt^^, auch ST2)
2. Je kürzer das Gate desto größer die Kanallängenmodulation <-- !!!! (wichtig! Hauptgrund!)
Je mehr Kanallängenmodulation du aber hast desto mehr weichst du von z.B. einer idealen Stromquelle ab (wenn du dir z.B. nen Stromspiegel aufbaust). Denn bei Kanallängenmodulation ist ja auch im Sättigungsbereich der Strom eine Funktion von Uds, was wir ja normalerweise als Vereinfachung nicht so machen, sondern den Strom da als const. ansehen.
Das mit der Kanallängenmodulation ist das wichtigste, den Rest kannste Dir als Zusatzinfo merken oder es auch sein lassen x:
warum man dann aber 2µm nimmt und nicht 1µm kann ich dir nicht sagen... ich hätte die doppelte Minimallänge genommen *schulterzuck* ich unterstelle "willkür":>
tante edith lässt mich erkennen: wenns nen stromspiegel in der aufgabe war, dann machs groß! weil stromspiegel perfekt sein soll <3 da kannste auch auf 5µ hochgehen (danach wirds dann doch ziemlich teuer) aber beim stromspiegel darf man schon mal nen bissl verschwenderischer sein.
mehr Fläche = mehr Kosten ist zwar richtig. Aber da muss man immer abwägen
zum einen spielt noch so was lustiges wie "Matching" ( lernt man dann in ST2 ) mit rein. Grob vereinfacht zusammengefasst:
kleinere Fläche = kleine Fehler (in der Dotierung z.B.) versauen dir alles, große Fläche = kleine Fehler gleichen sich aus
zum anderen spielt die Gatelänge in andere Dinge mit rein.
1. Je kürzer das Gate desto höher das (1/f-)Rauschen (platt gesagt^^, auch ST2)
2. Je kürzer das Gate desto größer die Kanallängenmodulation <-- !!!! (wichtig! Hauptgrund!)
Je mehr Kanallängenmodulation du aber hast desto mehr weichst du von z.B. einer idealen Stromquelle ab (wenn du dir z.B. nen Stromspiegel aufbaust). Denn bei Kanallängenmodulation ist ja auch im Sättigungsbereich der Strom eine Funktion von Uds, was wir ja normalerweise als Vereinfachung nicht so machen, sondern den Strom da als const. ansehen.
Das mit der Kanallängenmodulation ist das wichtigste, den Rest kannste Dir als Zusatzinfo merken oder es auch sein lassen x:
warum man dann aber 2µm nimmt und nicht 1µm kann ich dir nicht sagen... ich hätte die doppelte Minimallänge genommen *schulterzuck* ich unterstelle "willkür":>
tante edith lässt mich erkennen: wenns nen stromspiegel in der aufgabe war, dann machs groß! weil stromspiegel perfekt sein soll <3 da kannste auch auf 5µ hochgehen (danach wirds dann doch ziemlich teuer) aber beim stromspiegel darf man schon mal nen bissl verschwenderischer sein.