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Fehler im Skript
Verfasst: Fr 27. Feb 2009, 20:59
von Darkmaster
auf seite 94
die formeln (4.13), (4.14),(4.15)
wenn man (4.14) in (4.15) einsetzt sollte man (4.13) erhalten, es fehlt allerdings noch ein minus um (4.13) zu erhalten
in welcher der Formeln ist das vorzeichen falsch?
Re: Fehler im Skript
Verfasst: Fr 27. Feb 2009, 21:21
von K-Bal
µ ist negativ für Elektronen, bin aber noch nicht so weit im Skript und hab nur kurz mal nachgeschaut
Re: Fehler im Skript
Verfasst: Sa 28. Feb 2009, 13:07
von Christian Bredtmann
Ich glaube in der Formel (4.13) ist das Minus-Zeichen zu viel.
Die Beweglichkeit und die Leitfähigkeit ist in GEMB glaube ich positiv definiert.
Die machen das dann über die Ladungzahl z oder so?! Bin mir da auch noch nicht 100% sicher.
Re: Fehler im Skript
Verfasst: Mi 4. Mär 2009, 12:26
von ZeTa
ist euch eigentlich auch schon aufgefallen das die bei der aufgabensammlung ständig die ergebnisse vertauschen ?
hatte das jetzt schon bei mehreren aufgaben, konkret gerade bei Kapitel5 Aufgabe 13b)
da haben se jedes mal µn und µp vertauscht.
Re: Fehler im Skript
Verfasst: Do 5. Mär 2009, 18:43
von Sugi
irgendwie komme ich mit den formeln durcheinander.
kann es sein, dass bei den MOSFETs für die Oberflächenpotentialdifferenz und die Energiedifferenz (Wfi-Wf) das gleiche Symbol verwendet wird?
Wenn ich mir die Grossgruppenübungen angucke, ist damit die Energiedifferenz zwischen Wfi und Wf gemeint, aber auf der Formelsammlung vom IWE ist es eindeutig als Oberflächenpotential definiert.
Welche Schreibweise gilt dann für uns? Weiss es jmd., sonst wollt ich mal morgen in der sprechstunde vorbeischauen...