BA/MA/DA Untersuchung des Einflusses der Rückseitenbarriere
Verfasst: Mi 10. Aug 2011, 12:15
Hallo,
wir haben eine neue Diplomarbeit/Masterarbeit/Bachelorarbeit ab Mitte September/Anfang Oktober für E-Techniker/(experimentierfreudige) Physiker/Materialwissenschaftler zu vergeben.
In der Arbeit geht es um die Untersuchung des Einflusses der Rückseitenbarriere zur Herstellung von selbstsperrenden AlGaN/GaN-Heterostrukturfeldeffekttransistoren.
Unter folgendem Link gibt es mehr Infos:
http://www.gan.rwth-aachen.de/global/sh ... aaaaabsynq
Kontaktiert mich einfach, wenn ihr mehr wissen wollt und Interesse habt. Dann machen wir ein unverbindliches Treffen aus.
Gruß,
Herwig Hahn
wir haben eine neue Diplomarbeit/Masterarbeit/Bachelorarbeit ab Mitte September/Anfang Oktober für E-Techniker/(experimentierfreudige) Physiker/Materialwissenschaftler zu vergeben.
In der Arbeit geht es um die Untersuchung des Einflusses der Rückseitenbarriere zur Herstellung von selbstsperrenden AlGaN/GaN-Heterostrukturfeldeffekttransistoren.
Unter folgendem Link gibt es mehr Infos:
http://www.gan.rwth-aachen.de/global/sh ... aaaaabsynq
Kontaktiert mich einfach, wenn ihr mehr wissen wollt und Interesse habt. Dann machen wir ein unverbindliches Treffen aus.
Gruß,
Herwig Hahn